在建模的基础上计算dos和d带中心,我不是做计算的,这是闲暇之余自学的一点简单的,在此分享出来,有错误还请谅解和指正。
打开晶体文件,按照下图依次点击设置
按照下图几个选项卡设置后点击运行。
运行成功后打开文件夹的晶体文件,点击分析然后选择需要的dos选项就行了
点击view,结果出现了两个dos图,一个是α一个是β,应该是两个自旋
一般说的dos、pdos应该是β,因为我用的晶体模型是钒酸铋,带隙是2.4左右,在β图里很符合。
直接右键点击图然后copy到origin里作图就行。
2025-06-08
分类: 长一智 阅读:(89)在建模的基础上计算dos和d带中心,我不是做计算的,这是闲暇之余自学的一点简单的,在此分享出来,有错误还请谅解和指正。
打开晶体文件,按照下图依次点击设置
按照下图几个选项卡设置后点击运行。
运行成功后打开文件夹的晶体文件,点击分析然后选择需要的dos选项就行了
点击view,结果出现了两个dos图,一个是α一个是β,应该是两个自旋
一般说的dos、pdos应该是β,因为我用的晶体模型是钒酸铋,带隙是2.4左右,在β图里很符合。
直接右键点击图然后copy到origin里作图就行。
本文作者: 神秘火堆
原文链接: MaterialsStudio计算DOS
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