在建模的基础上计算dos和d带中心，重申一遍，我是做实验的不是做计算的，这是闲暇之余自学的一点简单的，在此分享出来，有错误还请谅解和指正。
打开晶体文件，按照下图依次点击设置
按照下图几个选项卡设置后点击运行。
运行成功后打开文件夹的晶体文件，点击分析然后选择需要的dos选项就行了
点击view，结果出现了两个dos图，一个是α一个是β，应该是两个自旋
一般说的dos、pdos应该是β，因为我用的晶体模型是钒酸铋，带隙是2.4左右，在β图里很符合。
直接右键点击图然后copy到origin里作图就行。
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